干法刻蝕的工藝參數(shù)，一般指刻蝕條件中可以被調(diào)整的條件項(xiàng)目。即，刻蝕條件中的工藝氣體的流量、各工藝氣體之間的比例、腔體的壓力、腔體上下電極上設(shè)定的功率、下部電極的溫度(及腔壁的設(shè)定溫度)、終點(diǎn)檢測系統(tǒng)中檢測窗口的設(shè)定參數(shù)。 通常我們利用工藝參數(shù)與刻蝕參數(shù)之間的關(guān)系，來制定可以滿足規(guī)格圖形需要的刻蝕條件。比如，對于一些尺寸規(guī)格較小的接觸孔圖形，在干法刻蝕的過程中，常會出現(xiàn)中途刻蝕停止的現(xiàn)象，這往往是由于反應(yīng)聚合物在孔內(nèi)側(cè)壁聚積引起的。由于接觸孔的孔徑較小，內(nèi) 壁上聚合物的堆積回阻止等離子自由活性激團(tuán)進(jìn)一步進(jìn)入孔的底部，最終導(dǎo)致刻蝕停止。針對這種的情況，我們可以適當(dāng)增加下部電極的功率和降低淀積氣體的比例來進(jìn)行改善。下部電極功率參數(shù)可以增加等離子的直進(jìn)性，也就是物理異方性，達(dá)到垂直刻蝕的效果，這樣可 以減少內(nèi)壁上的反應(yīng)聚合物的淀積。另外，降低淀積氣體的比例，是指刻蝕條件中對于淀積氣體的設(shè)定。所胃淀積氣體，是指相對于與表面材料發(fā)生反應(yīng)的主刻蝕氣體外的輔助氣體，它們可以在刻蝕反應(yīng)中，幫助產(chǎn)生一些容易淀積的聚合物，反應(yīng)聚合物淀積在側(cè)壁上，保護(hù)側(cè)壁不被刻蝕，從而確保良好的刻蝕形狀。但適當(dāng)降低該氣體的比例，可以改善刻蝕停止的問題。

然而，任何一個工藝參數(shù)的變化都會引起刻蝕參數(shù)的變化。如，功率變化或氣體比例的變化，會引起刻蝕速率的變化。硅片面內(nèi)各點(diǎn)的速率變化了，意味著面內(nèi)的均一性會發(fā)生變化。同時，隨著速率的變化，相對于某種表面材料的選擇比也發(fā)生了變化。因此說，工藝參 數(shù)和刻蝕參數(shù)之間有著密切的關(guān)系。我們雖然推斷，通過改變某些工藝參數(shù)可能改善圖形或解決刻蝕中出現(xiàn)的問題。但是，我們必須制定出適當(dāng)?shù)墓に嚄l件。比如，按如上的分析，我們增加了下部電極的功率，刻蝕停止的問題可能解決了。但由于功率的增加，刻蝕速率變快 了，光刻膠對于該刻蝕材料的選擇比降低了，導(dǎo)致整個孔徑尤其是開口處的尺寸或形狀惡化了。這樣的條件，解決了停止問題，卻仍然不能在生產(chǎn)中應(yīng)用。因此說，調(diào)整工藝參數(shù)是一個權(quán)衡利弊，掌握平衡的過程。掌握工藝參數(shù)與刻蝕參數(shù)之間的關(guān)系非常重要，它可以幫助 我們較為全面的判斷和制定出一個完善的工藝條件。

所以，制定刻蝕條件是一種技能。一個優(yōu)秀的刻蝕工藝工程師，可以在較短的時間內(nèi)通過準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)分析和判斷，確立并完善刻蝕條件，使之應(yīng)用在生產(chǎn)中，解決實(shí)際的生產(chǎn)問題。關(guān)于工藝參數(shù)和刻蝕參數(shù)的具體取樣、分析及最終圖形確認(rèn)的研究，將于下一章節(jié)，在金 屬刻刻蝕的具體課題研究中，進(jìn)行詳細(xì)的闡述。